Moduły GBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) o rozmiarze opakowania 34 mm to urządzenia elektroniczne mocy stosowane w zastosowaniach wysokiego napięcia i wysokiego prądu.Moduły IGBT łączą cechy zarówno MOSFET (metalo-tlenkowo-półprzewodnikowe tranzystory o działaniu pola) jak i tranzystory dwubiegunowe, zapewniające takie zalety jak wysokie napięcie, niskie straty w stanie ciągłym i szybkie prędkości przełączania.