Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
produkty
produkty
Do domu > produkty > Moduły IGBT EconoPIM > 1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

Szczegóły produktu

Nazwa handlowa: SPS

Numer modelu: SPS150P12M3M4

Warunki płatności i wysyłki

Najlepszą cenę
Podkreślić:

Moduł PIM Solid Power IGBT

,

Moduł PIM 1200V IGBT

,

Moduł PIM 150A IGBT

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

Moduł PIM 1200V 150A IGBT

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 0

Charakterystyka:
 Technologia 1200V Trench+ Field Stop
 Diody z wolnym kołem z szybkim i miękkim odzyskiem
 VCE ((sat) z dodatnim współczynnikiem temperatury
 Niskie straty w przypadku przełączania
 niezdolność do przełączenia
 
Typowe zastosowania:
 napędy silnikowe
 Serwo napędy
 

 

IGBT, Inwerter / IGBT, odwrotny zmiennik

 

Maksymalny Wartości ratingowe/ Maksymalna kwota

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

集电极- 发射电极 ciśnienie

Zbieracz-emitornapięcie

 

VCES

 

Twj= 25°C

 

1200

 

V

 

ciągły łącze łącze łącze łącze

Ciągłe D.C. zbiornikprąd

 

Ja...C

 

TC=100°C

 

150

 

 

A

 

集电极重复 峰值电流

Szczyt powtórzyćwprowadzające prąd z kolektorem

 

Ja...CRM

 

tp=1 ms

 

300

 

A

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maksymalny zakresnapięcie e-emitera

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

całkowite zużycie mocy

Łącznie moc rozpraszanieWymagania

 

Pw

 

TC= 25°C, TVj= 175°C

 

887

 

W

 

CharakterWyniki/ 特征值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min. Max.

 

Jednostki

 

集电极-发射极 和电压

Zbiornik-emiter saturatina napięciu

 

VCE(siedzieć)

 

Ja...C= 150A,VGE=15V

 

Twj= 25°C Twj= 125°C

 

1.65

1.85

 

1.90

 

V

 

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa

Próg bramynapięcie

 

VGE ((th)

 

Ja...C=6mA, VCE=VGE,Twj= 25°C

 

5.6 6.37.0

 

V

 

内部 极电阻

Wnętrze bramy rezystor

 

RGint

 

 

Twj= 25°C

 

 

2.5

 

Ω

 

Wielkość wkładuoczyszczanie

 

C- Nie

 

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

10.6

 

 

nF

 

Pojemność przenoszenia w kierunku przeciwnym

Zwrotny przejazdpojemność sfery

 

Cres

 

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

 

0.54

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Zbieracz-emitor ograniczenie cwynajem

 

Ja...CES

 

VCE=1200V, VGE=0V, Twj=25°C

 

1.00

 

 

mA

 

/ 极-发射极漏电流

Wytwarzacz bramy wyciek prąd

 

 

Ja...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Twj= 25°C

 

 

500

 

nA

 

开通延迟时间( Elektryczny ładunek)

Włączenie czas opóźnienia, indukcyjny obciążenie

 

td( na)

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

72

 

80

 

 

n

 

升时间( Elektryczny ładunek)

Czas wstać. indukcyjny obciążenie

 

tr

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

74

 

78

 

n

 

关断延迟时间( Elektryczny ładunek)

Odwrócenie dczas rozkładu, indukcyjny obciążenie

 

td(wyłączony)

Ja...C= 150A, VCE=600V

VGE=-15V...+15V

RGon= 5,1Ω

RGoff.= 5,1Ω

 

Indukcyjne - Co?ogłoszenie

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

413

 

480

 

 

n

 

Źródło:( Elektryczny ładunek)

Jesień, indukcyjny obciążenie

 

tf

 

56

 

60

 

n

 

开通 损耗能量(Każdy impuls)

Włączenie energia utrata na pu- Nie.

 

Ena

 

17.2

24.8

 

mJ

 

关断损耗能量(- Co to ma znaczyć?

Energia wyłączenia utrata na puls

 

Ewyłączony

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

12.4

18.6

 

mJ

 

短路数据

SC dane

 

Ja...SC

 

VGE=-15V...+15, VCC=600V

VCEmax=VCES- Co?sCE·di/dt, tp= 10 μs, Twj= 25°C

 

 

650

 

A

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

RwJC

 

Za IGBT / Każdy. IGBT

 

0.169

 

K/W

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

Twjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

 

Dioda, Inwerter/ √ √ √

Maksymalny Wartości ratingowe/ maksymalny定值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

Przewrotnie powtarzane napięcie pionowe

Szczyt powtarzalny odwrotne napięciee

 

VRRM

 

Twj= 25°C

 

1200

 

V

 

ciągły bieg prądu

Ciągłe DC dlaprąd oddziału

 

Ja...F

 

 

150

 

 

A

 

Władzę elektryczną

Szczyt powtarzający się prąd do przodu

 

Ja...FRM

 

tp=1 ms

 

300

 

A

 

CharakterWyniki/ 特征值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min. Max.

 

Jednostki

 

Prężność elektryczna w kierunku

Włókno przednie

 

 

VF

 

Ja...F=150A

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 150°C

 

1.85

1.80 1.80

 

2.00

 

 

V

 

Przepływ elektryczny w kierunku powrotnym

 

Szczyt odwrotnie odzyskanie cwynajem

 

Ja...rm

 

 

Ja...F=150A

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

65

 

80

 

A

 

Wyrzuty odwrotne

Odwrót odzyskanie charge

 

QRR

 

-DiF/dtwyłączony=1600A/μs VR = 600 V

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

12.4

24.5

 

μC

 

Wyniki badania:

Odwrót odzyskanie energia (na * * * *

 

ERec

 

VGE=-15V

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

3.6

7.3

 

mJ

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

RwJC

 

Na diodę/ Każda dwutygodnia

 

0.30

 

K/W

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

Twjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

 

IGBT, Helikopter hamulcowy/ IGBT, ̇ 车

Maksymalny Wartości ratingowe/ Maksymalna kwota

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

集电极- 发射电极 ciśnienie

Zbieracz-emitornapięcie

 

VCES

 

 

Twj= 25°C, Ja...C=1mA, VGE=0V

 

1200

 

V

 

ciągły łącze łącze łącze łącze

Ciągłe D.C. zbiornikprąd

 

Ja...C

 

TC= 100°C, TVj= 175°C

 

100

 

 

A

 

集电极重复 峰值电流

Szczyt powtórzyćwprowadzające prąd z kolektorem

 

Ja...CRM

 

tp=1 ms

 

200

 

A

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maksymalny zakresnapięcie e-emitera

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

całkowite zużycie mocy

Łącznie moc rozpraszanieWymagania

 

Pw

 

TC= 25°C, Twj= 175°C

 

652

 

W

 

CharakterWyniki/ 特征值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min. Typowy. Max, proszę.

 

Jednostki

 

集电极-发射极 和电压

Zbiornik-emiter saturatina napięciu

 

VCE(siedzieć)

 

Ja...C= 100A,VGE=15V

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 150°C

 

1.65

1.95 2.05

 

2.00

 

V

 

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa

Próg bramynapięcie

 

 

VGE ((th)

 

Ja...C=3,3mA, VCE=10V, Twj= 25°C

 

 

5.0 5.7 6.5

 

V

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Wrota obciążenie

 

QG

 

 

VGE=-15V...+15V

 

0.90

 

μC

 

Wielkość wkładuoczyszczanie

 

 

C- Nie

 

 

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

6.80

 

nF

 

Pojemność przenoszenia w kierunku przeciwnym

Zwrotny przejazdpojemność sfery

 

Cres

 

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

0.30

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Zbieracz-emitor ograniczenie cwynajem

 

Ja...CES

 

VCE=1200V, VGE=0V, Twj= 25°C

 

 

1.00

 

mA

 

/ 极-发射极漏电流

Wytwarzacz bramy wyciek prąd

 

Ja...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Twj= 25°C

 

500

 

nA

 

开通延迟时间( Elektryczny ładunek)

Włączenie czas opóźnienia, indukcyjny obciążenie

 

td( na)

 

Twj= 25°C Twj= 125°C

 

145

 

155

 

n

 

升时间( Elektryczny ładunek)

Czas wstać. indukcyjny obciążenie

 

tr

 

Twj= 25°C Twj= 125°C

 

28

 

40

 

 

n

 

关断延迟时间( Elektryczny ładunek)

Odwrócenie dczas rozkładu, indukcyjny obciążenie

 

td(wyłączony)

Ja...C=100A, VCE=600V

VGE=-15V...+15V

RGon=1,6 Ω

RGoff.=1,6Ω

 

Indukcyjne - Co?ogłoszenie

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

325

 

360

 

 

n

 

Źródło:( Elektryczny ładunek)

Czas jesieni, indukcyjny obciążenie

 

 

tf

 

110

 

170

 

n

 

开通 损耗能量(Każdy impuls)

Włączenie energia utrata na pu- Nie.

 

 

Ena

 

4.9

7.2

 

 

mJ

 

关断损耗能量(- Co to ma znaczyć?

Energia wyłączenia utrata na puls

 

Ewyłączony

 

Twj= 25°C Twj= 125°C

 

6.5

9.7

 

mJ

 

短路数据

SC dane

 

Ja...SC

 

VGE=-15V...+15, VCC=600V

VCEmax=VCES- Co?sCE·di/dt, tp= 10 μs, Twj= 25°C

 

450

 

 

A

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

RwJC

 

Za IGBT / Każdy. IGBT

 

0.23

 

K/W

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

 

Twjop

 

 

 

-40 150

 

 

°C

 

 

 

Dioda, Helikopter hamulcowy/ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎

Maksymalny Wartości ratingowe/ maksymalny定值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

Przewrotnie powtarzane napięcie pionowe

Szczyt powtarzalny odwrotne napięciee

 

VRRM

 

Twj= 25°C

 

1200

 

V

 

ciągły bieg prądu

Ciągłe DC dlaprąd oddziału

 

Ja...F

 

 

50

 

 

A

 

Władzę elektryczną

Szczyt powtarzający się prąd do przodu

 

Ja...FRM

 

tp=1 ms

 

100

 

A

 

CharakterWyniki/ 特征值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min. typ. Maksymalnie.

 

Jednostki

 

Prężność elektryczna w kierunku

Włókno przednie

 

 

VF

 

Ja...F=50A

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 150°C

 

1.85

1.80

1.80

 

 

V

 

Przepływ elektryczny w kierunku powrotnym

 

Szczyt odwrotnie odzyskanie cwynajem

 

Ja...RR

 

 

Ja...F=50A

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

7.00

11.2

 

A

 

Wyrzuty odwrotne

Odwrót odzyskanie charge

 

Qr

 

-DiF/dtwyłączony=2300A/μs VR = 600 V

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

80

 

85

 

μC

 

Wyniki badania:

Odwrót odzyskanie energia (na * * * *

 

ERec

 

VGE=-15V

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

 

2.8

4.9

 

mJ

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

RwJC

 

Na diodę/ Każda dwutygodnia

 

0.68

 

K/W

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

Twjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

 

Dioda, Sprostownik/ 2 极管,整流

Maksymalny Wartości ratingowe/ maksymalny定值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

Przewrotnie powtarzane napięcie pionowe

Szczyt powtarzalny odwrotne napięciee

 

VRRM

 

Twj= 25°C

 

1600

 

V

 

Maksymalny bieg elektryczny równorzędny(Każda cząstka)

Maksymalny Prąd naprzód RMS na chip

 

Ja...FRMSM

 

TH = 100°C

 

150

 

 

A

 

Maksymalny łączny strumień

Maksymalny Prąd RMS w wyprostowacz wydajność

 

Ja...RMSM

 

 

TH = 100°C

 

150

 

A

 

Wyrzut elektryczny

/Szybko do przoduprąd

 

Ja...FSM

 

tp= 10 ms, Twj=25°C, sin180°

 

1600

 

A

 

Ja...2t-

Wartość I2t

 

Ja...2t

 

tp= 10 ms, Twj=25°C, sin180°

 

13000

 

A2S

 

CharakterWyniki/ 特征值

       

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min. Typowy. Max, proszę.

 

Jednostki

 

Prężność elektryczna w kierunku

Włókno przednie

 

 

VF

 

Twj= 150°C, Ja...F=100A

 

 

1.0

 

V

 

Przepływ elektryczny wsteczny

 

Prąd odwrotny

 

Ja...R

 

Twj= 125°C, VR=1600V

 

2.0

 

 

mA

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

RwJC

 

Na diodę/ Każda dwutygodnia

 

0.28

 

K/W

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

 

Twjop

 

 

-40 150

 

°C

 

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 1

 

Moduł/

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostka

s

 

绝缘 试电压

Izolacjanapięcie badawcze

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

 

2.5

 

kV

 

模块基板材料

Materiał Moduł podłoża

   

 

Cu

 

 

内部绝缘

Wewnętrzne izolacja

 

 

基本绝缘(klasa 1, Ja...Działalność 61140)

Podstawowe izolacja (klasa 1, IEC 61140)

 

Al.2O3

 

 

爬电距离

Wstrząsającetance

   

 

10

 

mm

 

电气间隙

Wypuszczenie

   

 

 

7.5

 

 

mm

 

Wskaźnik stosunkowych śladów elektrycznych

KomparatywŚledzenie wskaźnik

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Symbol pozycjiWarunki Min. Typ. Maks. Jednostki

 

杂散电感, 模块

Zbłąkany indukcja Moduł

 

LsCE

 

25

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- chipy

 

Moduł Ołów Odporność ,Terminal-Cbiodra

 

RCC??+EE??TH= 25°C,Każdy przełącznik/przełącznik

 

 

1.1

 

 

 

temperatury przechowywania

 

Temperatura przechowywaniaperatury

 

Tstg

 

-40 125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Tor montażowyco dla Moduł montaż

 

 

M

 

3.00 6.00

 

 

Nm

 

Waga

 

Waga

 

G

 

300

 

g

 

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 21200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 31200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 41200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 5

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 6

0

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 7