Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
produkty
produkty
Do domu > produkty > Moduły IGBT EconoDual3 > 1700V 450A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

1700V 450A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

Szczegóły produktu

Nazwa handlowa: SPS

Numer modelu: SPS450B17D3R8

Warunki płatności i wysyłki

Najlepszą cenę
Podkreślić:

Moduł półmocu Solid Power IGBT

,

450A IGBT Half Bridge moduł

,

Moduł półmocu 1700V IGBT

1700V 450A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

Solid Power-DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0

Moduł półmocu IGBT 1700V 450A

1700V 450A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 0

Charakterystyka:
 Technologia 1700V Trench+ Field Stop
 Diody z wolnym kołem z szybkim i miękkim odzyskiem
 VCE ((sat) z dodatnim współczynnikiem temperatury
 Niskie straty w przypadku przełączania
 niezdolność do przełączenia
 
Typowe zastosowania:
 napędy silnikowe
 Turbiny wiatrowe

 

IGBT, Inwerter / IGBT, odwrotny zmiennik

 

Maksymalny Wartości ratingowe/ Maksymalna kwota

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

集电极- 发射电极 ciśnienie

Zbieracz-emitornapięcie

 

VCES

 

Twj= 25°C

 

1700

 

V

 

ciągły łącze łącze łącze łącze

Ciągłe D.C. zbiornikprąd

 

Ja...C nazwy

 

TC= 100°C, Tvjmax= 175°C

 

450

 

 

A

 

集电极重复 峰值电流

Szczyt powtórzyćwprowadzające prąd z kolektorem

 

Ja...CRM

 

tp=1 ms

 

900

 

A

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maksymalny zakresnapięcie e-emitera

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

CharakterWyniki/ 特征值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min. Typowy. Max, proszę.

 

Jednostki

 

集电极-发射极 和电压

Zbiornik-emiter saturatina napięciu

 

 

VCE(siedzieć)

 

Ja...C= 450A,VGE=15V

 

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

 

1.70

1.95 2.00

 

2.00

 

V

V

V

 

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa

Próg bramynapięcie

 

 

VGE ((th)

 

Ja...C= 17mA, VCE=VGE, Twj= 25°C

 

 

5.1 5.9 6.6

 

 

V

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Wrota obciążenie

 

QG

 

VGE=-15V...+15V

 

 

2.42

 

 

uC

 

内部 极电阻

Wnętrze bramy rezystor

 

RGint

 

Twj= 25°C

 

2.2

 

Ω

 

Wielkość wkładuoczyszczanie

 

 

C- Nie

 

 

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

37.5

 

nF

 

Pojemność przenoszenia w kierunku przeciwnym

Zwrotny przejazdpojemność sfery

 

 

Cres

 

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.63

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Zbieracz-emitor ograniczenie cwynajem

 

Ja...CES

 

 

VCE=1700V, VGE=0V, Twj= 25°C

 

3.00

 

mA

 

/ 极-发射极漏电流

Wytwarzacz bramy wyciek prąd

 

 

Ja...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Twj= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延迟时间( Elektryczny ładunek)

Włączenie czas opóźnienia, indukcyjny obciążenie

 

 

td( na)

 

 

 

 

 

 

 

Ja...C= 450A, VCE=900V

VGE=±15V

RGon= 3,3Ω

RGoff.= 3,3Ω

 

Indukcyjne Load,

 

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

 

215

240

 

245

 

n

n

n

 

升时间( Elektryczny ładunek)

Czas wstać. indukcyjny obciążenie

 

tr

 

100

125

 

130

 

n

n

n

 

关断延迟时间( Elektryczny ładunek)

Odwrócenie dczas rozkładu, indukcyjny obciążenie

 

 

td(wyłączony)

 

575

720

 

740

 

n

n

n

 

Źródło:( Elektryczny ładunek)

Jesień, indukcyjny obciążenie

 

tf

 

385

670

 

715

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Każdy impuls)

Włączenie energia utrata na puNie.

 

 

Ena

 

135

223

 

241

 

mJ

mJ

mJ

 

关断损耗能量(- Co to ma znaczyć?

Energia wyłączenia utrata na puls

 

Ewyłączony

 

103

159

 

167

 

mJ

mJ

mJ

 

短路数据

SC dane

 

Ja...SC

 

VGE≤ 15V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- Co?sCE·di/dt, tp= 10 μs, Twj= 150°C

 

 

1400

 

A

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

RwJC

 

Za IGBT / Każdy. IGBT

 

0.07

 

K/W

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

Twjop

 

 

 

-40150

 

 

°C

 

 

Dioda, Inwerter/ √ √ √

Maksymalny Wartości ratingowe/ maksymalny定值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

Przewrotnie powtarzane napięcie pionowe

Szczyt powtarzające się odwrotne napięciee

 

VRRM

 

Twj= 25°C

 

1700

 

V

 

ciągły bieg prądu

Ciągłe DC dlaprąd oddziału

 

Ja...F

 

 

450

 

 

A

 

Władzę elektryczną

Szczyt powtarzający się prąd do przodu

 

Ja...FRM

 

tp=1 ms

 

900

 

A

 

CharakterWyniki/ 特征值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min. Typowy. Max, proszę.

 

Jednostki

 

Prężność elektryczna w kierunku

Włókno przednie

 

VF

 

 

Ja...F= 450A

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 150°C

 

1.80

1.95 1.95

 

2.10

 

V

V

V

 

Przepływ elektryczny w kierunku powrotnym

 

Szczyt odwrotnie odzyskanie cwynajem

 

 

Ja...RM

 

 

 

Ja...F= 450A

-DiF/dtwyłączony=5200A/μs

VR =900 V

 

VGE=-15V

 

Twj= 25°C 490

Twj= 125°C485

 

Twj= 150°C485

 

A

A

A

 

恢复电荷

Opłata za odzyskanie

 

 

Qr

 

Twj= 25°C90

Twj= 125°C 185

 

Twj= 150°C 200

 

uC

uC

uC

 

Wyniki badania:

Odwrót odzyskanie energia (na * * * *

 

ERec

 

Twj= 25°C 43

Twj= 125°C 87

 

Twj= 150°C 95

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

RwJC

 

Na diodę/ Każda dwutygodnia

 

0.09

 

K/W

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

Twjop

 

 

-40 150

 

°C

 

NTC-thermistor / 负温度系数 热敏电阻

Charakterystyczne wartości/ charakterystyczna wartość

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

额定 电阻值

Rated resistance

 

R25

 

TC= 25°C

 

5.00

 

 

B-

Wartość B

 

B25/50

 

 

3375

 

K

 

 

Moduł/

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

绝缘 试电压

Izolacjanapięcie badawcze

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.4

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiał Moduł podłoża

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Wewnętrzne izolacja

 

 

基本绝缘(klasa 1, Ja...Działalność 61140)

Podstawowe izolacja (klasa 1, IEC 61140)

 

Al.2O3

 

 

爬电距离

Wstrząsającetance

 

 

端子-散热片/ terminal to zbiornik cieplny

端子-端子/terminal do terwęgiel

 

14.5

13.0

 

 

mm

 

电气间隙

Wypuszczenie

 

 

端子-散热片/ terminal to zbiornik cieplny

端子-端子/terminal do terwęgiel

 

12.5

10.0

 

mm

 

Wskaźnik stosunkowych śladów elektrycznych

Porównawcze śledzenie wskaźnik

 

 

CTI

 

 

 

> 200

 

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min.

 

Typowy.

 

Max, proszę.

 

Jednostki

 

杂散电感, 模块

Zbłąkany indukcja Moduł

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

Modułowa odporność przewodów,端子- chipy

Moduł Ołów opór, końcówki - chip

 

RCC+EE

 

TC= 25°C

 

 

1.10

 

 

 

temperatury przechowywania

 

Temperatura przechowywaniaperatury

 

Tstg

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭矩

Tor montażowyco dla Moduł montaż

 

M5

 

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子 连接 skrętu

Połączenie z terminemn moment obrotowy

 

M6

 

 

3.00

 

 

6.00

 

Nm

 

Waga

 

Waga

 

G

   

 

345

 

 

g

1700V 450A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 1

1700V 450A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 2

1700V 450A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 3

1700V 450A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 4

1700V 450A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 5

1700V 450A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-2.0 6