1200V 600A IGBT Moduł półmocu-silna moc DS-SPS600B12D3A4-S04050035 V-2.0

IGBT, Inwerter/ IGBTWręcz przeciwnie.变器

Maksymalne wartości znamionowe/Maksymalna wartość

Pozycja

Symbol

Warunki

Wartość

Jednostki

集电极- 发射电极 ciśnienie

Zbieraczenapięcie prądu

VCES

Twj= 25°C ,VGE=0V

1200

V

ciągły łącze łącze łącze łącze

Prąd stały w kolektorze prądu stałego

Ja...C nazwy

TC= 105°C, Tvjmax= 175°C

600

A

集电极重复峰值电流

Szczyt powtarzalny kolektor prąd

Ja...CRM

tp=1 ms

1200

A

¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maksymalny emiter bramy vwiekowe

VGES

±20

V

Charakterystyczne wartości/ 特征值

Pozycja

Symbol

Warunki

Min. Max.

Jednostki

集电极- 发射极?? 和电压

Zbieracz-emitor nasycenie napięcie

VCE(siedzieć)

Ja...C= 600A,VGE=15V

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

1.53

1.71

1.83

V

V

V

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa

Wrota próg napięcie

VGE ((th)

Ja...C= 24mA, VCE=VGE, Twj= 25°C

5.5

V

/ 极电荷

Opłata za wejściee

QG

VGE=-15V...+15V, Ja...C=600A, VCE=600V

4.1

uC

内部 极电阻

Rezystor bramy wewnętrznej

RGint

Twj= 25°C

2

Ω

输入电容

Pojemność wejściowa

C- Nie

Twj= 25°C,

76

nF

集电极-发射极截止电流

Zbieracz...prąd odcięty z emitera

Ja...CES

VCE=1200V, VGE=0V,

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 175°C

0.1

0.35

12

mA

mA

mA

¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Wysyłka przez bramęz prąd wycieku

Ja...GES

VCE=0V, VGE=±20V, Twj= 125°C

- 150 150

nA

开通延延时间(电感负载)

td(na)

Twj= 25°C Twj= 125°C

435

488

n

n

Opóźnienie włączania czas, obciążenie indukcyjne

Twj= 175°C

510

n

升时间( Elektryczny ładunek)

Twj= 25°C

156

n

Czas wzrostu

Twj= 125°C Twj= 175°C

202

225

n

n

关断延迟时间( Elektryczność负载)

Wyłączenie opóźnienie czas, obciążenie indukcyjne

td(wyłączony)

Ja...C=600A, VCC =600 V

VGE=±15V

RG= 0,51Ω

CGE=0 nF

Indukcyjne Load

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 175°C

Twj= 25°CTwj= 125°C Twj= 175°C

385

417

427

n

n

n

Źródło:( Elektryczny ładunek)

Czas upadku, indukcyjnyobciążenie

tf

112

148

176

n

n

n

开通 损耗能量(Każdy impuls.冲)

95

mJ

Strata energii włączania na impuls

Ena

140

171

mJ

mJ

关断损耗能量(- Co to ma znaczyć?

67

mJ

Utrata energii przy wyłączeniu na impulsw

Ewyłączony

99

115

mJ

mJ

短路数据

SC dane

Ja...SC

VGE=15V, VCC= 900V

VCEM CHIP ≤ 1200V ,Twj= 175°C

2500

A

结-外 热阻

Ciepło opórę, ę, ę, ę przypadek

RwJC

Na IGBT /Każdy.IGBT

0.05

K/W

temperatury pracy

Temperatura w warunkach przełączania cwarunki

Twjop

-40150

°C