Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
produkty
produkty
Do domu > produkty > Moduły IGBT 34 mm > Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Szczegóły produktu

Numer modelu: SPS75B17G3

Warunki płatności i wysyłki

Najlepszą cenę
Podkreślić:

Moduł 75A H most IGBT

,

Moduł IGBT mostkowy 1700V H

,

Moduł IGBT 1700V

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

 

1700 V 75A IGBT Połowa mostek Moduł

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 0

 

Cechy:

  • Struktura zamknięcia bramy i pola 1700V
  • Wysoka zdolność krótkiego obloku
  • Niska strata przełączania
  • Wysoka niezawodność
  • Pozytywny współczynnik temperatury

 

 

Typowe Wnioski:

  • Silniki napędowe
  • Serwo napędy
  • Inwerter i zasilanie
  • Elektrownia fotowoltaiczna

 

IGBT, Inwerter / IGBT, odwrotny zmiennik

Maksymalna wartość nominalna / maksymalna wartość kwotowa

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

集电极- 发射电极 ciśnienie

Wypuszczone przez kolekcjonerr napięcie

 

VCES

 

Twj= 25°C

 

1700

 

V

 

ciągły łącze łącze łącze łącze

Ciągłe D.C. zbiornikprąd

 

Ja...C nazwy

 

 

75

 

 

A

 

集电极重复峰值电流

Szczyt powtórzyćwprowadzające prąd z kolektorem

 

Ja...CRM

 

tp=1 ms

 

150

 

A

 

całkowita utrata mocy

Łącznie moc rozpraszanieWymagania

 

Pw

 

TC= 25°C,Tvjmax= 175°C

 

535

 

W

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maksymalny zakresnapięcie wstrzykiwacza elektrycznego

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

Najwyższa temperatura

Maksymalne połączenien temperatury

 

Tvjmax

 

 

175

 

°C

 

CharakterWyniki/ 特征值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min. typ. Max.

 

Jednostki

 

集电极-发射极 和电压

Zbieracz-emitor snapięcie aturacyjne

 

VCE(siedzieć)

 

Ja...C=75,VGE=15V

 

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

 

2.24

2.51 2.56

 

2.60

 

V

V

V

 

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa

Próg bramynapięcie

 

VGE ((th)

 

Ja...C=3mA, VCE=VGE, Twj= 25°C

 

4.5 5.9 6.5

 

V

 

/ 极电荷

Wrota obciążenie

 

 

QG

 

VGE=-15V...+15V

 

0.47

 

uC

 

内部 极电阻

Wnętrze bramy rezystor

 

RGint

 

Twj= 25°C

 

10.8

 

Ω

 

输入电容

Wielkość wkładuoczyszczanie

 

 

C- Nie

 

 

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

5.03

 

nF

 

Pojemność przenoszenia w kierunku przeciwnym

Zwrotny przejazdpojemność sfery

 

Cres

 

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.18

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Zbieracz-emitor wycinekff prąd

 

Ja...CES

 

VCE=1700V, VGE=0V, Twj= 25°C

 

3.00

 

mA

 

/ 极-发射极漏电流

Wytwarzacz bramy wyciek prąd

 

Ja...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Twj= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延延时间( Elektryczny ładunek)

Włączenie czas opóźnienia, indukcyjny obciążenie

 

 

td(na)

 

 

 

 

 

 

 

Ja...C=75A, VCE=900 V

VGE=±15V

RGon= 6,6Ω

RGoff.= 6,6Ω

 

Indukcyjne Load,

 

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

 

174

184

 

188

 

n

n

n

 

升时间( Elektryczny ładunek)

Czas wstać. indukcyjny obciążenie

 

tr

 

80

83

 

81

 

n

n

n

 

关断延迟时间( Elektryczny ładunek)

Odwrócenie dczas rozkładu, indukcyjny obciążenie

 

td(wyłączony)

 

319

380

 

401

 

n

n

n

 

Źródło:( Elektryczny ładunek)

Jesień, indukcyjny obciążenie

 

tf

 

310

562

 

596

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Każdy impuls)

Włączenie energia utrata na pu- Nie.

 

 

Ena

 

24.7

27.6

28.4

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量(- Co to ma znaczyć?

Energia wyłączenia utrata na puls

 

Ewyłączony

 

10.9

16.1

17.5

 

mJ

mJ

 

短路数据

SC dane

 

Ja...SC

 

VGE≤ 15V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- Co?sCE·di/dt, tp= 10 μs, Twj= 150°C

 

 

240

 

A

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

 

RwJC

 

 

Za IGBT / Każdy.IGBT

 

 

0.28 K/W

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

Twjop

 

 

-40 150 °C

 

Dioda, Inwerter/ 二极管, odwrotny zmiennik

Maksymalny Wartości ratingowe/ maksymalna wartość

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość Jednostki

 

Przewrotnie powtarzane napięcie pionowe

Szczyt powtarzalny odwrotne napięciee

 

 

VRRM

 

 

Twj= 25°C

 

1700 V

 

ciągły bieg prądu

Ciągłe DC dlaprąd oddziału

 

 

Ja...F

 

 

75 A

 

Władzę elektryczną

Szczyt powtarzający się prąd do przodu

 

Ja...FRM

 

 

tp=1 ms

 

150 A

 

CharakterWyniki/ 特征值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min. Typ. Maks. Jednostki

 

Prężność elektryczna w kierunku

Włókno przednie

 

 

VF

 

Ja...F= 75A

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 150°C

 

1.59

1.72 1.71

 

2.25

 

V

V

V

 

Przepływ elektryczny w kierunku powrotnym

 

Szczyt odwrotnie odzyskanie cwynajem

 

Ja...RM

 

 

Ja...F= 75A

-DiF/dtwyłączony=1100A/μs

VR =900 V

 

VGE=-15V

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 150°C

 

85

101

 

108

 

A

A

A

 

恢复电荷

Opłata za odzyskanie

 

Qr

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 150°C

 

23.5

32.9 36.2

 

uC

uC

uC

 

Wyniki badania:

Odwrót odzyskanie energia (na * * * *

 

ERec

 

Twj= 25°C

Twj= 125°C

Twj= 150°C

 

11.8

17.8 19.6

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

RwJC

 

Na diodę/ Każda dwutygodnia

 

0.48 K/W

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

 

Twjop

 

 

 

-40 150 °C

 

 

Moduł / 模块

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostka

s

 

绝缘 试电压

Izolacjanapięcie badawcze

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiał Moduł podłoża

   

 

Cu

 

 

内部绝缘

Wewnętrzne izolacja

 

 

基本绝缘(klasa 1, Ja...Działalność 61140)

Podstawowe izolacja (klasa 1, IEC 61140)

 

Al.2O3

 

 

爬电距离

Wstrząsającetance

 

 

端子-散热片/ terminal to zbiornik cieplny

端子-端子/terminal do terwęgiel

 

17

 

20

 

 

mm

 

电气间隙

Wypuszczenie

 

 

端子-散热片/ terminal to zbiornik cieplny

端子-端子/terminal do terwęgiel

 

17

9.5

 

 

mm

 

Wskaźnik śladów elektrycznych

Porównawcze śledzenie wskaźnik

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min.

 

Typowy.

 

Max, proszę.

 

Jednostki

 

杂散电感, 模块

Zbłąkany indukcja Moduł

 

LsCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子 łącze łącze łącze łącze- chipy

 

Moduł Ołów Odporność ,Terminal-Cbiodra

 

RCC+EE

RAA+CC

   

 

 

0.65

 

 

 

 

temperatury przechowywania

 

Temperatura przechowywaniaperatury

 

Tstg

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Tor montażowyco dla Moduł montaż

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子 连接 skręconą odległość

Połączenie z terminemn moment obrotowy

 

M

 

M5

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Waga

 

Waga

 

G

   

 

160

 

 

g

 

 

IGBT IGBT

Charakterystyka wyjściowa IGBT, Inwerter (typowa) Charakterystyka wyjściowa IGBT, Inwerter (typowa)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

VGE=15V Tvj=150°C

 

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1

                                                                                        

                                                                                               

IGBT IGBT

Charakterystyka transferu IGBT, Inwerter (typowa) Straty przełączania IGBT, Inwerter (typowe)

IC=f ((VGE) E=f ((IC)

VCE=20V VGE=±15V, RG=6,6Ω, VCE=900V

 

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 2

 

 

IGBT IGBT

Straty przełączania IGBT, Inwerter (typowe) Straty przełączania IGBT, Inwerter (typowe)

E=f (RG) E=f ((IC)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V

 

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 3

 

IGBT IGBT

Straty przełączania IGBT, Inwerter (typowy) Przejściowa impedancja cieplna IGBT, Inwerter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V

 

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 4

 

IGBT, RBSOA

Bezpieczny obszar pracy z odwrotnym przesunięciem IGBT, Inwerter (RBSOA) Wsteczna charakterystyka diody, Inwertera (typowa)

Ja...C=f(VCE)Ja...F=f(VF)

VGE=±15V, RGoff.= 6,6Ω, Tvj = 150°C

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 5

 

 

 

Straty przełączania Dioda, Inwerter (typowe) Straty przełączania Dioda, Inwerter (typowe)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RG=6.6 Ω, VCE=900V IF=75A, VCE=900V

 

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 6

 

 

Diody impedancji termicznej przejściowej, Inwerter

ZthJC=f (t)

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 7

 

 

"1700V IGBT" to tranzystor dwubiegunowy o izolowanej bramie zdolny do obsługi maksymalnego napięcia 1700 V. Jest stosowany w zastosowaniach wymagających zarządzania wyższymi poziomami napięcia,Inwersory o wysokiej mocySzczegółowe specyfikacje można znaleźć w arkuszu danych producenta.

 

 

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 8

Obwód schemat nagłówek 

 

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 9

 

 

 

 

 

Pakiet zarysy 

 

Moduł IGBT mostkowy 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 10