DS-SPS200AR12G3-S04010010 Moduł koła hamulcowego IGBT 1200V 200A

IGBT/ IGBT

Maksymalny Wartości ratingowe/ Maksymalna kwota值

Pozycja

Symbol

Warunki

Wartość

Jednostki

集电极- 发射电极 ciśnienie

Zbieracz...napięcie emiterów

VCES

Twj= 25°C

1200

V

ciągły łącze łącze łącze łącze

Ciągłe Kollektor prądu stałego prąd

Ja...C

200

A

集电极重复峰值电流

Szczyt kolektor powtarzający się prąd

Ja...CRM

tp=1 ms

400

A

całkowita utrata mocy

Łącznie moc dys.Wpływ

Pw

TC= 25°C, Twj= 175°C

830

W

¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maksymalne napięcie w drzwiach emiterów

VGES

±20

V

Najwyższa temperatura

Maksymalny jtemperatury naśladu

Twj,maks.

175

°C

Charakterystyczne wartości/ 特征值

Pozycja

Symbol

Warunki

Min. Typowy.x.

Jednostki

集电极-发射极 和电压

Emisja z kolektorówz napięciem nasycenia

VCE(siedzieć)

Ja...C= 200A,VGE=15V Twj= 25°C

1.80 2.25

V

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa

Progowe napięcie bramy

VGE ((th)

Ja...C= 6.7mA,VCE=VGE, Twj= 25°C

5.0 5.8 6.8

V

/ 极电荷

Wrota obciążenie

QG

VGE=-15V...+15V, Twj= 25°C

1.27

uC

内部 极电阻

Wnętrze bramy resywielkość

RGint

Twj= 25°C

6.5

Ω

输入电容

Pojemność wejściowa

C- Nie

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

19.5

nF

Pojemność przenoszenia w kierunku przeciwnym

Pojemność odwrotnego przenoszenia

Cres

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

0.46

nF

集电极-发射极截止电流

Zbiornik emitującyter prąd odcięcia

Ja...CES

VCE=1200V, VGE=0V, Twj= 25°C

1.00

mA

/ 极-发射极漏电流

Wytwarzacz bramy prąd wycieku

Ja...GES

VCE=0V, VGE=20V, Twj= 25°C

500

nA

短路数据

SC dane

Ja...SC

VGE ≤±15V,tp ≤10 us, VCC=600V, Twj= 150°CVCE, maks.=VCES-Ls.CE x w/dt

600

A

结-外 热阻

Ciepło odporność, łącznik do obudowy

RwJC

Za IGBT / Każdy. IGBT

0.18

K/W

temperatury pracy

Temperatura pod przełączanie warunkiWyniki

Twjop

-40150

°C

Odwrotnie Diody/ 逆二极管

Maksymalny Wartości ratingowe/ maksymalny定值

Pozycja

Symbol

Warunki

Wartość

Jednostki

Przewrotnie powtarzane napięcie pionowe

Szczyt powtarzalny odwrotny voWystarczy

VRRM

Twj= 25°C

1200

V

ciągły bieg prądu

Ciągłe Prędkość prądu ciągłego prąd

Ja...F

75

A

Władzę elektryczną

Szczyt powtarzający się prąd do przodu

Ja...FRM

tp= 1 ms

150

A

Charakterystyczne wartości/ 特征值

Pozycja

Symbol

Warunki

Min. Max.

Jednostki

Prężność elektryczna w kierunku

Władowanie przedniee

VF

Ja...F= 70A

Twj= 25°C

Twj= 150°C

1.90

1.90

2.20

V

Przepływ elektryczny w kierunku powrotnym

Szczyt odwrotnie recovEry prąd

Ja...rm

Ja...F= 70A

Twj= 25°C

Twj= 150°C

45

60

A

Wyrzuty odwrotne

Odwrót odzyskaćry obciążenie

QRR

-DiF/dtwyłączony=1200A/μs

VR = 600 V

Twj= 25°C

Twj= 150°C

4

8

μC

Wyniki badania:

Odwrót energia odzysku (per * * * *

ERec

VGE=-15V

Twj= 25°C

Twj= 150°C

1.2

2.5

mJ

结-外 热阻

Ciepło odporność, łącznik do obudowy

RwJC

Na diodę / Każda dwutygodnia

0.6

K/W

temperatury pracy

Temperatura pod przełączanie warunkiWyniki

Twjop

-40 150

°C

Moduł/ 模块

Pozycja

Symbol

Warunki

Wartość

Jednostka

s

绝缘 试电压

Napięcie badawcze izolacji

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

Materiał z Moduł podłoża

Cu

内部绝缘

Wewnętrzne IsolacjaWniosek

基本绝缘(klasa 1, IEC 61140)

Podstawowe izolacja (klasa 1, IEC61140)

Al.2O3

爬电距离

Cree odległość strony

端子-散热片/terminal do zbiornik ciepła

端子-端子/terminalnaL do terminala.

17

20

mm

电气间隙

Wypuszczenie

端子-散热片/terminal do zbiornik ciepła

端子-端子/terminalnaL do terminala.

17

9.5

mm

Wskaźnik śladów elektrycznych

Porównawcze śledzenie wskaźnik

CTI

> 200

Pozycja

Symbol

Warunki

Min.

Typowy.

Max, proszę.

Jednostki

杂散电感, 模块

Indukcja wzdłużna Moduł

LsCE

30

nH

模块引脚电阻,端子- chipy

Moduł Ołów Odpornośće ,Terminals-Chip

RCC /+EE??

RAA/+CC

0.65

mΩ

temperatury przechowywania

Temperatura przechowywania

Tstg

-40

125

°C

模块安装的安装扭距

moment montażowy dla Moduł węgielg

M

M6

3.00

5.00

Nm

模块安装的安装扭距

moment montażowy dla Moduł węgielg

M

M5

2.50

5.00

Nm

Waga

Waga

G

155

g