produkty

Do domu > produkty > Moduły IGBT 62 mm > Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Kategorie

IGBT dyskretny

(2)

Kontakty

Kontakty: Mr. Zhou

Tel.: 86-1360-528-8329

Skontaktuj się teraz

Napisz do nas

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Name: Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0
Brand: Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
SKU: SPS300B17G6R8
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

Szczegóły produktu

Numer modelu: SPS300B17G6R8

Warunki płatności i wysyłki

Najlepszą cenę

Szczegóły produktu

Opis produktu

Podkreślić: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Moduły IGBT 62 mm Białe, Komponent elektroniczny Moduły IGBT 62 mm, Moduły IGBT białe
                              

Aktualna ocena:	150A	Prąd upływu bramka-emiter:	±100nA
Napięcie progowe bramka-emiter:	5V	Maksymalny prąd kolektora:	300A
Maksymalne napięcie zbiornik-emiter:	1200 V	Maksymalna temperatura złącza:	150°C
Maksymalne rozpraszanie mocy:	500 W	Styl montażu:	Śruba
Zakres temperatury pracy:	-40°C do 125°C	Rodzaj opakowania:	62 mm
Rodzaj produktu:	Moduł półprzewodnikowy mocy	Częstotliwość przełączania:	20 KHz
Odporność termiczna:	0.1°C/W	Poziom napięcia:	600 V

Aktualna ocena:	150A
Prąd upływu bramka-emiter:	±100nA
Napięcie progowe bramka-emiter:	5V
Maksymalny prąd kolektora:	300A
Maksymalne napięcie zbiornik-emiter:	1200 V
Maksymalna temperatura złącza:	150°C
Maksymalne rozpraszanie mocy:	500 W
Styl montażu:	Śruba
Zakres temperatury pracy:	-40°C do 125°C
Rodzaj opakowania:	62 mm
Rodzaj produktu:	Moduł półprzewodnikowy mocy
Częstotliwość przełączania:	20 KHz
Odporność termiczna:	0.1°C/W
Poziom napięcia:	600 V

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Solid Power-DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

1700 V 300A IGBT Połowa mostek Moduł

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 0

Charakterystyka:

D Technologia 1700V Trench+ Field Stop

□ Diody z szybkim i miękkim odzyskiwaniem

□ V_{CE ((sat)}o dodatnim współczynniku temperatury

□ Niskie straty w przypadku zmiany

Typowe Zastosowanie:

□ Silnik/serwo napęd

□ Konwertery o dużej mocy

□ UPS

□ Energia fotowoltaiczna

Pakiet

Pozycja	Symbol	Warunki		Wartości			Jednostka
Napięcie badawcze izolacji	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Materiał podstawy modułu				Cu
Izolacja wewnętrzna		(klasa 1, IEC 61140) Podstawowa izolacja (klasa 1, IEC 61140)		Al.₂O₃
Odległość wędrowania	dCrype	terminal do zlewu cieplnego		29.0			mm
	dCrype	terminal do terminalu		23.0
Wypuszczenie	dZrozumiałem	terminal do zlewu cieplnego		23.0			mm
	dZrozumiałem	terminal do terminalu		11.0
Indeks porównawczy śledzenia	CTI			> 400

Pozycja	Symbol	Warunki		Wartości			Jednostka
				Min.	Typowy.	Max, proszę.
Moduł indukcyjności wędrownej	LsCE				20		nH
Moduł oporu ołowiowego, końcówki - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.70		mΩ
Temperatura przechowywania	Tstg			-40		125	°C
Moment montażowy do montażu modułu	M6			3.0		6.0	Nm
Moment obrotowy połączenia końcowego	M6			2.5		5.0	Nm
Waga	G				320		g

Maksymalny poziom IGBT Rated Wartości

Pozycja	Symbol	Warunki		Wartości	Jednostka
Napięcie kolektoru-emiteru	VCES		T_wj= 25°C	1700	V
Maksymalne napięcie w drzwiach emiterów	VGES			± 20	V
Przejściowe napięcie bramy-emiter	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Prąd stały w kolektorze prądu stałego	Ja..._C		T_C= 25°C	500	A
Prąd stały w kolektorze prądu stałego	Ja..._C		T_C=100°C	300	A
Prąd pulsujący kolektor,tp ograniczony przez T_jmax	ICpulse			600	A
Rozpraszanie mocy	Ptot			1500	W

Charakterystyka Wartości

Pozycja	Symbol	Warunki		Wartości			Jednostka
Pozycja	Symbol	Warunki		Min.	Typowy.	Max, proszę.	Jednostka
Napięcie nasycenia zbiornika-emiteru	VCE (sat)	Ja..._C= 300A, V_GE=15V	T_wj= 25°C		1.70	2.00	V
			T_wj= 125°C		1.95
			T_wj= 150°C		2.00
Progowe napięcie bramy	VGE ((th)	V_CE=V_GEJa..._C=12mA		5.1	5.9	6.6	V
Prąd odcięty od kolektora do emiterów	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_wj= 25°C			100	μA
Prąd odcięty od kolektora do emiterów	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_wj= 150°C			5	mA
Prąd wycieku z bramy emiterów	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_wj= 25°C		-200.		200	nA
Opłata bramy	Q_G	V_CE= 900 V, I_C= 300A, V_GE=±15V			1.6		μC
Pojemność wejściowa	Cies	V_CE=25V, V_GE=0V, f =100kHz			25.0		nF
Pojemność wyjściowa	Coes				1.4
Pojemność odwrotnego przenoszenia	Cres				0.4
Rezystor bramy wewnętrznej	RGint	T_wj= 25°C			3.5		Ω
Czas opóźnienia włączenia, obciążenie indukcyjne	Td (włączony)	V_CC= 900V,I_C=300A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_wj= 25°C		185		n
			T_wj= 125°C		220		n
			T_wj= 150°C		230		n
Czas wzrostu, obciążenie indukcyjne	t_r		T_wj= 25°C		76		n
			T_wj= 125°C		92		n
			T_wj= 150°C		96		n
Czas opóźnienia wyłączenia, obciążenie indukcyjne	td ((wyłączony)	V_CC= 900V,I_C=300A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_wj= 25°C		550		n
			T_wj= 125°C		665		n
			T_wj= 150°C		695		n
Czas upadku, obciążenie indukcyjne	t_f		T_wj= 25°C		390		n
			T_wj= 125°C		610		n
			T_wj= 150°C		675		n
Strata energii włączania na impuls	Eon	V_CC= 900V,I_C=300A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_wj= 25°C		44.7		mJ
			T_wj= 125°C		73.2		mJ
			T_wj= 150°C		84.6		mJ
Wyłącz utrata energii na impuls	Eof		T_wj= 25°C		68.5		mJ
			T_wj= 125°C		94.7		mJ
			T_wj= 150°C		102.9		mJ
Dane SC	ISC	V_GE≤ 15V, V_CC=900V	tp≤10 μs T_wj= 150°C			950	A
IGBT opór cieplny, skrzynia łącznikowa	RthJC					0.10	K / W
Temperatura pracy	TJop			-40		175	°C

Maksymalny poziom diody Rated Wartości

Pozycja	Symbol	Warunki		Wartości	Jednostka
Powtórne napięcie odwrotne	VRRM		T_wj= 25°C	1700	V
Prąd ciągły prądu stałego	Ja..._F		T_C= 25°C	300	A
Prąd ciągły prądu stałego	Ja..._F		T_C=100°C	170
Prąd impulsowy diody,tp ograniczony przez T_Jmax	IFpulse			600

Charakterystyka Wartości

Pozycja	Symbol	Warunki		Wartości			Jednostka
				Min.	Typowy.	Max, proszę.
Włókno przednie	V_F	Ja..._F= 300A, V_GE=0V	T_wj= 25°C		2.45	2.80	V
			T_wj= 125°C		2.65
			T_wj= 150°C		2.65
Odwrotny czas odzyskania	trr	Ja..._F= 300A dI_F/dt=-4000A/μs (T_wj= 150°C) V_R= 900V, V_GE=-15V	T_wj= 25°C		160		n
			T_wj= 125°C		230
			T_wj= 150°C		270
Maksymalny prąd odwrotnego odzysku	IRRM		T_wj= 25°C		380		A
			T_wj= 125°C		400
			T_wj= 150°C		415
Opłata odwrotna za odzyskanie	QRR		T_wj= 25°C		61		μC
			T_wj= 125°C		104
			T_wj= 150°C		123
Strata energii odzysku odwrotnego na impuls	Erec		T_wj= 25°C		29.7		mJ
			T_wj= 125°C		53.6
			T_wj= 150°C		63.4
Dioda oporu termicznego, skrzynia łącznikowa	RthJCD					0.20	K / W
Temperatura pracy	TJop			-40		175	°C

Produkcja charakterystyczna (typowa) Wydajność charakterystyczny (typowy)

Ja..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE)

T_wj= 150°C

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 1

IGBT

Przeniesienie charakterystyczny (typowy) Zmiana straty IGBT(typowe)

Ja..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 300A, V_CE= 900V

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 2

IGBT RBSOA

Zmiana straty IGBT(typowy) Odwrót stronniczość bezpieczne działający Obszar (RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 900 V V_GE= ±15V, R_Goff.= 3,3Ω, T_wj= 150°C

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 3

Typowe pojemność jako a) funkcja z kolektor-emiter napięcie Ładowanie bramkowe (typowe)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 300A, V_CE= 900V

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 4

IGBT

IGBT przejściowe termiczne impedancja jako a) funkcja o pulsie szerokość Do przodu charakterystyczny z Diody (typowy)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 5

Utraty przełączania Diody (typowe)straty diody (typowe)

E_Rec= f (R_G) E_Rec= f (I_F)

Ja..._F= 300A, V_CE= 900V R_G= 3,3Ω, V_CE= 900V

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 6

Diody przejściowe termiczne impedancja jako a) funkcja z puls szerokość

Zth(j-c) = f (t)

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 7

"Modul półmocu 1700V 300A IGBT" integruje dwa tranzystory dwubiegunowe (IGBT) w konfiguracji półmocu.o prędkości wyjściowej nieprzekraczającej 50 WSkuteczne chłodzenie ma kluczowe znaczenie, a szczegółowe specyfikacje można znaleźć w karcie producenta.

Obwód schemat nagłówek

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 8

Pakiet zarysy

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 9

Tags:

Moduły IGBT 34 mm

Moduły IGBT 62 mm

Moduły IGBT EconoDual3

Moduły IGBT EasyPIM

Moduły IGBT EconoPack

Moduły IGBT EconoPIM

Moduły motoryzacyjne

Hybrydowe dyskrety SiC

MOSFET dyskretny

IGBT dyskretny

Moduły IGBT białe 62 mm Komponent elektroniczny DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Moduły IGBT 62 mm Białe

Komponent elektroniczny Moduły IGBT 62 mm