Podkreślić:
Moduły IGBT 300A
, Moduły IGBT 62 mm
, Moduły IGBT 1200 V
Prąd kolektora: |
200A |
Napięcie nasycenia kolektor-emiter: |
2,5 V |
Napięcie kolektor-emiter: |
1200 V |
Aktualna ocena: |
200A |
Napięcie progowe bramka-emiter: |
5V |
Napięcie bramka-emiter: |
20V |
Pojemność wejściowa: |
1,5nF |
Typ modułu: |
IGBT |
Zakres temperatury pracy: |
-40°C do 150°C |
Pojemność wyjściowa: |
0,5nF |
Rodzaj opakowania: |
62 mm |
Odwrotna pojemność transferu: |
0.2nF |
Częstotliwość przełączania: |
20 KHz |
Poziom napięcia: |
1200 V |
Moduły IGBT 1200V 300A 62mm DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0
Solid Power-DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0
1200 V 300A IGBT Połowa mostek Moduł
Ogólne Opis
Moduły zasilania SOLIDPOWER IGBT zapewniają niskie straty przełączania, a także wysoką zdolność RBSOA. Są one przeznaczone do zastosowań takich jak podgrzewanie indukcyjne, spawanie i przełączanie wysokiej częstotliwości itp..
Cechy:
- Technologia 1200V Planar Field Stop
- Diody z wolnym kołem z szybkim i miękkim odzyskiem odwrotnym
- Niskie straty w przypadku zmiany
- Wysoka zdolność RBSOA
Typowe Wnioski:
- Ogrzewanie indukcyjne
- Włókna
- Aplikacja przełączania wysokiej częstotliwości
|
IGBT, Inwerter / IGBT, odwrotny zmiennik
Maksymalny Wartości ratingowe/ Maksymalna kwota值
|
|
Pozycja
|
Symbol
|
Warunki
|
Wartość
|
Jednostki
|
|
集电极- 发射电极 ciśnienie
Zbieracz-emitornapięcie
|
VCES
|
Twj= 25°C
|
1200
|
V
|
|
ciągły łącze łącze łącze łącze
Ciągłe D.C. zbiornikprąd
|
Ja...C
|
TC= 100°C, TVj= 175°C
TC= 25°C, TVj= 175°C
|
300
400
|
A
A
|
|
集电极重复峰值电流
Szczyt powtórzyćwprowadzające prąd z kolektorem
|
Ja...CRM
|
tp=1 ms
|
600
|
A
|
|
całkowita utrata mocy
Łącznie moc rozpraszanieWymagania
|
Pw
|
TC= 25°C, Twj= 150°C
|
1500
|
W
|
|
¥ ¥ ¥ ¥ ¥
Maksymalny zakresnapięcie wstrzykiwacza elektrycznego
|
VGES
|
|
±20
|
V
|
|
CharakterWyniki/ 特征值
|
|
Pozycja
|
Symbol
|
Warunki
|
Min. Typowy. Max, proszę.
|
Jednostki
|
|
集电极-发射极 和电压
Zbiornik-emiter saturatina napięciu
|
VCE(siedzieć)
|
Ja...C= 300A,VGE=15V
|
Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C
|
2.10
|
2.50
2.90
3.00
|
3.00
|
V
V
V
|
|
Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
Próg bramynapięcie
|
VGE ((th)
|
Ja...C=12mA, VCE=VGE, Twj= 25°C
|
5.0 6.0 7.0
|
V
|
|
/ 极电荷
Wrota obciążenie
|
QG
|
VGE=-15V...+15V
|
1.5
|
μC
|
|
内部 极电阻
Wnętrze bramy rezystor
|
RGint
|
Twj= 25°C
|
2.5
|
Ω
|
|
输入电容
Wielkość wkładuoczyszczanie
|
C- Nie
|
f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V
|
12.8
|
nF
|
|
Pojemność przenoszenia w kierunku przeciwnym
Zwrotny przejazdpojemność sfery
|
Cres
|
f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V
|
0.62
|
nF
|
|
集电极-发射极截止电流
Zbieracz-emitor ograniczenie cwynajem
|
Ja...CES
|
VCE=1200V, VGE=0V, Twj= 25°C
|
5.00
|
mA
|
|
/ 极-发射极漏电流
Wytwarzacz bramy wyciek prąd
|
Ja...GES
|
VCE=0V, VGE=20V, Twj= 25°C
|
200
|
nA
|
|
开通延延时间( Elektryczny ładunek)
Włączenie czas opóźnienia, indukcyjny obciążenie
|
td( na)
|
Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C
|
90
105
110
|
n
n
n
|
|
升时间( Elektryczny ładunek)
Czas wstać. indukcyjny obciążenie
|
tr
|
Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C
|
64
66
70
|
n
n
n
|
|
关断延迟时间( Elektryczny ładunek)
Odwrócenie dczas rozkładu, indukcyjny obciążenie
|
td(wyłączony)
|
Ja...C= 300A, VCE=600V
VGE=±15V
RGon= 2 Ω
RGoff.= 2 Ω
Indukcyjne Load,
|
Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C
|
285
310
330
|
n
n
n
|
|
Źródło:( Elektryczny ładunek)
Jesień, indukcyjny obciążenie
|
tf
|
55
65
65
|
n
n
n
|
|
开通 损耗能量(Każdy impuls)
Włączenie energia utrata na pu- Nie.
|
Ena
|
Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C
|
21.3
29.5
33.1
|
mJ
mJ
mJ
|
|
关断损耗能量(- Co to ma znaczyć?
Energia wyłączenia utrata na puls
|
Ewyłączony
|
Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C
|
11.2
15.7
16.5
|
mJ
mJ
mJ
|
|
短路数据
SC dane
|
Ja...SC
|
VGE≤ 15V, VCC=800V
VCEmax=VCES- Co?sCE·di/dt, tp= 10 μs, Twj= 150°C
|
1200
|
A
|
|
结-外 热阻
Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek
|
RwJC
|
Za IGBT / Każdy. IGBT
|
0.10
|
K/W
|
|
temperatury pracy
Temperatura ie przełączanie warunki
|
Twjop
|
-40
|
150
|
°C
|
|
Dioda, Inwerter/ √ √ √
Maksymalny Wartości ratingowe/ maksymalny定值
|
|
Pozycja
|
Symbol Cwarunki
|
|
Wartość
|
Jednostki
|
|
Przewrotnie powtarzane napięcie pionowe
Szczyt powtarzalny odwrotne napięciee
|
VRRM Twj= 25°C
|
|
1200
|
V
|
|
ciągły bieg prądu
Ciągłe DC dlaprąd oddziału
|
Ja...F
|
|
300
|
A
|
|
Władzę elektryczną
Szczyt powtarzający się prąd do przodu
|
Ja...FRM tp=1 ms
|
|
600
|
A
|
|
CharakterWyniki/ 特征值
|
|
Pozycja
|
SymbolWarunki
|
Min.
|
Typowy. Max, proszę.
|
Jednostki
|
|
Prężność elektryczna w kierunku
Włókno przednie
|
VF Ja...F= 300A
|
Twj= 25°C
Twj= 125°C
Twj= 150°C
|
2.30
2.50
2.50
|
2.70
|
V
V
V
|
|
Przepływ elektryczny w kierunku powrotnym
Szczyt odwrotnie odzyskanie cwynajem
|
Ja...RM
Qr
ERec
|
Ja...F= 300A
-DiF/dtwyłączony= 4000A/μs
VR = 600 V
VGE=-15V
|
Twj= 25°C
Twj= 125°C
Twj= 150°C
|
182
196
199
|
A
A
A
|
|
Wyrzuty odwrotne
Opłata za odzyskanie
|
Twj= 25°C
Twj= 125°C
Twj= 150°C
|
23.5
35.5
35.5
|
μC
μC
μC
|
|
Wyniki badania:
Odwrót odzyskanie energia (na * * * *
|
Twj= 25°C
Twj= 125°C
Twj= 150°C
|
7.3
12.7
14.6
|
mJ
mJ
mJ
|
|
结-外 热阻
Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek
|
RwJC Na diodę / Każda个二极管
|
|
0.23
|
K/W
|
|
temperatury pracy
Temperatura ie przełączanie warunki
|
Twjop
|
-40
|
150
|
°C
|
|
Moduł/ 模块
|
|
Pozycja
|
Symbol
|
Warunki
|
Wartość
|
Jednostki
|
|
绝缘 试电压
Izolacjanapięcie badawcze
|
VISOL
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
3.0
|
kV
|
|
模块基板材料
Materiał Moduł podłoża
|
|
|
Cu
|
|
|
内部绝缘
Wewnętrzne izolacja
|
|
基本绝缘(klasa 1, Ja...Działalność 61140)
Podstawowe izolacja (klasa 1, IEC 61140)
|
Al.2O3
|
|
|
爬电距离
Wstrząsającetance
|
|
端子-散热片/ terminal to zbiornik cieplny
端子-端子/terminal do terwęgiel
|
29.0
23.0
|
mm
|
|
电气间隙
Wypuszczenie
|
|
端子-散热片/ terminal to zbiornik cieplny
端子-端子/terminal do terwęgiel
|
23.0
11.0
|
mm
|
|
Wskaźnik śladów elektrycznych
KomparatywŚledzenie wskaźnik
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Pozycja
|
Symbol
|
Warunki
|
Min.
|
Typowy.
|
Max, proszę.
|
Jednostki
|
|
杂散电感, 模块
Zbłąkany indukcja Moduł
|
LsCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
模块引脚电阻, 端子- chipy
Moduł Ołów Odporność ,Terminal-Cbiodra
|
RCC??+EE??
RAA??+CC??
|
|
|
0.7
|
|
mΩ
|
|
temperatury przechowywania
Temperatura przechowywaniaperatury
|
Tstg
|
|
-40
|
|
125
|
°C
|
|
模块安装的安装扭距
Tor montażowyco dla Moduł montaż
|
M
|
M6
|
3.00
|
|
6.00
|
Nm
|
|
端子 连接 skręconą odległość
Połączenie z terminemn moment obrotowy
|
M
|
M6
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Waga
Waga
|
G
|
|
|
320
|
|
g
|
IGBT IGBT
Charakterystyka wyjściowa IGBT, Inwerter (typowa) Charakterystyka wyjściowa IGBT, Inwerter (typowa)
Ja...C=f (V)CE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Charakterystyka transferu IGBT, Inwerter (typowa) Straty przełączania IGBT, Inwerter (typowe)
Ja...C=f (V)GE) E=f (IC)
VCE=20VVGE=±15V, RGon=2 Ω, RGoff.=2 Ω, VCE=600V
IGBT IGBT
Straty przełączania IGBT, Inwerter (typowy) Przejściowa impedancja cieplna IGBT, Inwerter
E=f (R)G) ZwJC=f (t)
VGE=±15V, IC= 300A, VCE=600V
IGBT, ((RBSOA)
Bezpieczny obszar pracy z odwrotnym przesunięciem IGBT, Inwerter (RBSOA) Wsteczna charakterystyka diody, Inwertera (typowa)
Ja...C=f (V)CE) IF=f (V)F)
VGE=±15V, RGoff.=2 Ω, Twj= 150°C
Straty przełączania Dioda, Inwerter (typowe) Straty przełączania Dioda, Inwerter (typowe)
Erec=f (I)F) Erec=f (RG)
RGon=2 Ω, VCE=600V IF= 300A, VCE=600V
FRD
FRD o przejściowej impedancji cieplnej, Inwerter
ZwJC=f (t)
Moduł IGBT Half Bridge (1200V 300A) integruje dwa IGBT w konfiguracji półmostka do zastosowań o dużej mocy, oferując precyzyjne sterowanie napięciem (1200V) i prądem (300A).Skuteczne chłodzenie jest kluczowe, a szczegółowe specyfikacje można znaleźć w karcie producenta.
Obwód schemat nagłówek
Pakiet zarysy
Twoja wiadomość musi mieć od 20 do 3000 znaków!
