Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
produkty
produkty
Do domu > produkty > Moduły IGBT 62 mm > 200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Szczegóły produktu

Numer modelu: SPS200B12G6H4

Warunki płatności i wysyłki

Najlepszą cenę
Podkreślić:

Moduł półmocu 200A IGBT

,

Moduł półmostkowy 200A

,

Moduł półmocu 62mm IGBT

Prąd kolektora:
100A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
2,5 V
Napięcie kolektor-emiter:
±1200V
Aktualna ocena:
100A
Prąd upływu bramka-emiter:
± 10 μA
Napięcie progowe bramka-emiter:
5V
Napięcie bramka-emiter:
±20 V
Maksymalna temperatura robocza:
150°C
Typ modułu:
IGBT
Rodzaj opakowania:
62 mm
Czas wytrzymania zwarcia:
10μs
Częstotliwość przełączania:
20 KHz
Odporność termiczna:
0.1°C/W
Poziom napięcia:
1200 V
Prąd kolektora:
100A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
2,5 V
Napięcie kolektor-emiter:
±1200V
Aktualna ocena:
100A
Prąd upływu bramka-emiter:
± 10 μA
Napięcie progowe bramka-emiter:
5V
Napięcie bramka-emiter:
±20 V
Maksymalna temperatura robocza:
150°C
Typ modułu:
IGBT
Rodzaj opakowania:
62 mm
Czas wytrzymania zwarcia:
10μs
Częstotliwość przełączania:
20 KHz
Odporność termiczna:
0.1°C/W
Poziom napięcia:
1200 V
200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

 

 

Wymagania w odniesieniu do odnośników węgla


1200 V 200A IGBT Połowa mostek Moduł

 

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 0

 

Cechy:

  • Technologia 1200V Planar Field Stop
  • Diody z wolnym kołem z szybkim i miękkim odzyskiem odwrotnym
  • Niskie straty w przypadku zmiany
  • Wysoka zdolność RBSOA

 

Typowe Wnioski:

  • Ogrzewanie indukcyjne
  • Włókna
  • Aplikacja przełączania wysokiej częstotliwości

 

IGBT, Inwerter / IGBT, odwrotny zmiennik

 

Maksymalny Wartości ratingowe/ Maksymalna wartość

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

集电极- 发射电极 ciśnienie

Zbieracz-emitornapięcie

 

VCES

 

Twj= 25°C

 

1200

 

V

 

ciągły łącze łącze łącze łącze

Ciągłe D.C. zbiornikprąd

 

Ja...C

 

TC = 100°C, Twj maks.= 175°C

TC = 25°C, Twj maks.= 175°C

 

200

 

280

 

A

A

 

集电极重复峰值电流

Szczyt powtórzyćwprowadzające prąd z kolektorem

 

Ja...CRM

 

tp=1 ms

 

400

 

A

 

całkowita utrata mocy

Łącznie moc rozpraszanieWymagania

 

Pw

 

TC= 25°C, Twj= 175°C

 

1070

 

W

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maksymalny zakresnapięcie wstrzykiwacza elektrycznego

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

 

 

Charakterystyczne wartości/ 特征值

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min. Typowy. Max, proszę.

 

Jednostki

 

集电极-发射极 和电压

Zbiornik-emiter saturatina napięciu

 

VCE(siedzieć)

 

Ja...C=200A,VGE=15V

 

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

 

1.50

 

2.40

2.95

3.00

 

3.00

 

V

V

V

 

Wymagania w zakresie bezpieczeństwa

Próg bramynapięcie

 

 

VGE ((th)

 

Ja...C=8mA, VCE=VGE, Twj= 25°C

 

 

5.0 6.0 7.0

 

V

 

/ 极电荷

Wrota obciążenie

 

QG

 

 

VGE=-15V...+15V

 

0.8

 

μC

 

内部 极电阻

Wnętrze bramy rezystor

 

RGint

 

Twj= 25°C

 

 

2.5

 

Ω

 

Wielkość wkładuoczyszczanie

 

C- Nie

 

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

8.76

 

nF

 

Pojemność elektryczna przesyłowa w kierunku przeciwnym

Zwrotny przejazdpojemność sfery

 

Cres

 

f=1MHz, Twj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

 

0.40

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Zbieracz-emitor ograniczenie cwynajem

 

 

Ja...CES

 

VCE=1200V, VGE=0V, Twj= 25°C

 

5.00

 

 

mA

 

/ 极-发射极漏电流

Wytwarzacz bramy wyciek prąd

 

Ja...GES

 

 

VCE=0V, VGE=20V, Twj= 25°C

 

200

 

nA

 

开通延延时间( Elektryczny ładunek)

Włączenie czas opóźnienia, indukcyjny obciążenie

 

td( na)

 

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

 

65

75

 

75

 

n

n

n

 

升时间( Elektryczny ładunek)

Czas wstać. indukcyjny obciążenie

 

tr

 

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

 

45

55

 

55

 

n

n

n

 

关断延迟时间( Elektryczny ładunek)

Odwrócenie dczas rozkładu, indukcyjny obciążenie

 

td(wyłączony)

 

Ja...C=200A, VCE=600V

VGE=±15V

RGon= 3,3 Ω

RGoff.= 3,3 Ω

 

Indukcyjne - Co?ogłoszenie

 

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

 

205

230

 

235

 

n

n

n

 

Źródło:( Elektryczny ładunek)

Jesień. indukcyjny obciążenie

 

 

tf

 

55

85

 

85

 

n

n

n

 

开通 损耗能量(Każdy impuls)

Włączenie energia utrata na pu- Nie.

 

Ena

 

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

 

16.7

26.4

28.2

 

mJ

mJ

mJ

 

关断损耗能量(- Co to jest?

Energia wyłączenia utrata na puls

 

 

Ewyłączony

 

Twj= 25°C Twj= 125°C Twj= 150°C

 

4.9

8.8

9.6

 

mJ

mJ

mJ

 

短路数据

SC dane

 

Ja...SC

 

VGE≤ 15V, VCC=800V

VCEmax=VCES- Co?sCE·di/dt, tp= 10 μs, Twj= 150°C

 

 

800

 

A

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

RwJC

 

Za IGBT / Każdy. IGBT

 

0.14

 

K/W

 

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

Twjop

 

-40

 

150

 

 

°C

 

 

Dioda, Inwerter/ √ √ √

Maksymalny Wartości ratingowe/ maksymalna wartość

 

Pozycja

 

Symbol Cwarunki

 

Wartość

 

 

Jednostki

 

Przewrotnie powtarzające się napięcie napięcia pionowego

Szczyt powtarzalny odwrotne napięciee

 

VRRM Twj= 25°C

 

1200

 

 

 

V

 

ciągły bieg elektryczny

Ciągłe DC dlaprąd oddziału

 

Ja...F

 

200

 

 

A

 

Władzę elektryczną

Szczyt powtarzający się prąd do przodu

 

 

Ja...FRM tp=1 ms

 

400

 

 

A

 

 

 

Charakterystyczne wartości/ 特征值

 

Pozycja

 

SymbolWarunki

 

Min. Typowy.

 

Max, proszę.

 

Jednostki

 

Prężność elektryczna w kierunku

Włókno przednie

 

VF Ja...F=200A

 

Twj= 25°C Twj= 125°CTwj= 150°C

 

1.50

 

1.80

1.80

1.80

 

2.40

 

V

V

V

 

Przepływ elektryczny w kierunku powrotnym

 

Szczyt odwrotnie odzyskanie cwynajem

 

Ja...RM

 

 

Qr

 

 

 

ERec

 

 

Ja...F=200A

-di/dt=3200A/μs VR = 600 V

 

VGE=-15V

 

Twj= 25°C Twj= 125°CTwj= 150°CTwj= 25°C Twj= 125°CTwj= 150°CTwj= 25°C Twj= 125°CTwj= 150°C

 

140

140

 

140

 

 

A

A

A

 

Wyrzuty odwrotne

Opłata za odzyskanie

 

14.5

22.528.0

 

 

μC

μC

μC

 

Odwrotna utrata przywracania (w każdym uderzeniu)

Odwrót odzyskanie energia (na * * * *

 

4.5

8.7 9.9

 

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Ciepło W przeciwności, juWpływ na przypadek

 

RwJC Na diodę / Każda个二极管

 

 

 

0.23

 

K/W

 

temperatury pracy

Temperatura ie przełączanie warunki

 

 

Twjop

 

-40

 

150

 

°C

 

 

 

 

Moduł/ 模块

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Wartość

 

Jednostki

 

绝缘 试电压

Izolacjanapięcie badawcze

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiał Moduł podłoża

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Wewnętrzne izolacja

 

 

基本绝缘(klasa 1, Ja...Działalność 61140)

Podstawowe izolacja (klasa 1, IEC 61140)

 

Al.2O3

 

 

爬电距离

Wstrząsającetance

 

 

端子-散热片/ terminal to zbiornik cieplny

端子-端子/terminal do terwęgiel

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Wypuszczenie

 

 

端子-散热片/ terminal to zbiornik cieplny

端子-端子/terminal do terwęgiel

 

23.0

11.0

 

mm

 

Wskaźnik śladów elektrycznych

KomparatywŚledzenie wskaźnik

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Pozycja

 

Symbol

 

Warunki

 

Min.

 

Typowy.

 

Max, proszę.

 

Jednostki

 

杂散电感, 模块

Zbłąkany indukcja Moduł

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- chipy

 

Moduł Ołów Odporność ,Terminal-Cbiodra

 

RCC??+EE??

RAA??+CC??

   

 

0.7

 

 

 

temperatury przechowywania

 

Temperatura przechowywaniaperatury

 

Tstg

 

 

 

-40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Tor montażowyco dla Moduł montaż

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子 连接 skręconą odległość

Połączenie z terminemn moment obrotowy

 

M

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Waga

 

Waga

 

G

   

 

320

 

 

g

 

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 1 

IGBT IGBT

Charakterystyka wyjściowa IGBT, Inwerter (typowa) Charakterystyka wyjściowa IGBT, Inwerter (typowa)

Ja...C=f (V)CE) IC=f(VCE)

VGE=15V              Tvj=150°C

 

 

 

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 2

 

IGBT IGBT

Charakterystyka przeniesienia IGBT, Inwerter (typowa) Charakterystyka przeniesienia IGBT, Inwerter (typowa)

IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)

VCE=20V VGE=±15V, RGon=3,3 Ω, RGoff=3,3 Ω, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 3

IGBT IGBT

Straty przełączania IGBT, Inwerter (typowy) Przejściowa impedancja cieplna IGBT, Inwerter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=±15V, IC=200A, VCE=600V

 

  200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 4

 

IGBT

Bezpieczny obszar pracy z odwrotnym przesunięciem IGBT, Inwerter (RBSOA) Wsteczna charakterystyka diody, Inwertera (typowa)

IC=f (VCE) IF=f (VF)

VGE=±15V, RGoff=3,3 Ω, Tvj=150°C

 

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 5

 

 

Straty przełączania Dioda, Inwerter (typowe) Straty przełączania Dioda, Inwerter (typowe)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RGon=3,3Ω, VCE=600V IF=200A, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 6

FRD

FRD o przejściowej impedancji cieplnej, Inwerter

ZthJC=f (t)

 

 

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 7

 

Moduł półmocu 1200V 200A IGBT integruje dwa IGBT w konfiguracji półmocu do zastosowań wymagających kontroli poziomu napięcia i prądu od umiarkowanego do wysokiego.Skuteczne chłodzenie jest kluczowe, a szczegółowe specyfikacje można znaleźć w karcie producenta.

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 8

Obwód schemat nagłówek 

 

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 9

 

 

Pakiet zarysy

 

200A 1200V IGBT pół mostek moduł 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 10