OEM IGBT moduł zasilania 1200V 300A pół mostek moduł DS-SPS300B12G6M4-S04020025
Wymagania w zakresie bezpieczeństwa i bezpieczeństwa
1200 V 300A IGBT Połowa mostek Moduł
D Technologia 1200V Trench+ Field Stop
□ Diody z szybkim i miękkim odzyskiwaniem
□ VCE ((sat)o dodatnim współczynniku temperatury
□ Niskie straty w przypadku zmiany
□ Podgrzewanie indukcyjne
□ Spawanie
□ zastosowania w zakresie przełączania wysokiej częstotliwości
Pakiet
| Pozycja |
Symbol |
Warunki |
Wartości |
Jednostka |
|
Napięcie badawcze izolacji
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0
|
kV
|
|
Materiał podstawy modułu
|
|
|
Cu
|
|
|
Izolacja wewnętrzna
|
|
(klasa 1, IEC 61140)
Podstawowa izolacja (klasa 1, IEC 61140)
|
Al.2O3
|
|
|
Odległość wędrowania
|
dCrype |
terminal do zlewu cieplnego |
29.0 |
mm
|
| dCrype |
terminal do terminalu |
23.0 |
|
Wypuszczenie
|
dZrozumiałem |
terminal do zlewu cieplnego |
23.0 |
mm
|
| dZrozumiałem |
terminal do terminalu |
11.0 |
|
Indeks porównawczy śledzenia
|
CTI |
|
> 400
|
|
| |
|
| Pozycja |
Symbol |
Warunki |
Wartości |
Jednostka |
| Min. |
Typowy. |
Max, proszę. |
|
Moduł indukcyjności wędrownej
|
LsCE |
|
|
20
|
|
nH
|
|
Moduł oporu ołowiowego, końcówki - chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70
|
|
mΩ
|
|
Temperatura przechowywania
|
Tstg |
|
-40
|
|
125
|
°C |
|
Moment montażowy do montażu modułu
|
M6 |
|
3.0
|
|
6.0
|
Nm
|
|
Moment obrotowy połączenia końcowego
|
M6 |
|
2.5
|
|
5.0
|
Nm
|
|
Waga
|
G |
|
|
320
|
|
g
|
IGBT
Maksymalny Rated Wartości
| Pozycja |
Symbol |
Warunki |
Wartości |
Jednostka |
|
Napięcie kolektoru-emiteru
|
VCES |
|
Twj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Maksymalne napięcie w drzwiach emiterów
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Przejściowe napięcie bramy-emiter
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Prąd stały w kolektorze prądu stałego
|
Ja...C |
|
TC= 25°C |
400 |
A
|
| TC=100°C |
300 |
|
Prąd pulsujący kolektor,tp ograniczony przez Tjmax
|
ICpulse |
|
600
|
A
|
|
Rozpraszanie mocy
|
Ptot |
|
1500
|
W
|
Charakterystyka Wartości
| Pozycja |
Symbol |
Warunki |
Wartości |
Jednostka |
| Min. |
Typowy. |
Max, proszę. |
|
Napięcie nasycenia zbiornika-emiteru
|
VCE (sat) |
Ja...C= 300A, VGE=15V |
Twj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Twj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Twj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Progowe napięcie bramy
|
VGE ((th) |
VCE=VGEJa...C=12mA |
5.0
|
5.8
|
6.5
|
V
|
|
Prąd odcięty od kolektora do emiterów
|
ICES |
VCE=1200V, VGE=0V |
Twj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Twj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Prąd wycieku z bramy emiterów
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Twj= 25°C |
-200. |
|
200 |
nA |
|
Opłata bramy
|
QG |
VCE=600V, IC= 300A, VGE=±15V |
|
3.2 |
|
μC |
|
Pojemność wejściowa
|
Cies |
VCE=25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
60.0 |
|
nF
|
|
Pojemność wyjściowa
|
Coes |
|
1.89 |
|
|
Pojemność odwrotnego przenoszenia
|
Cres |
|
0.54 |
|
|
Rezystor bramy wewnętrznej
|
RGint |
Twj= 25°C |
|
1.2 |
|
Ω |
|
Czas opóźnienia włączenia, obciążenie indukcyjne
|
Td (włączony) |
VCC= 600V,IC=300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Twj= 25°C |
|
130 |
|
n |
| Twj= 125°C |
|
145 |
|
n |
| Twj= 150°C |
|
145 |
|
n |
|
Czas wzrostu, obciążenie indukcyjne
|
tr |
Twj= 25°C |
|
60 |
|
n |
| Twj= 125°C |
|
68 |
|
n |
| Twj= 150°C |
|
68 |
|
n |
|
Czas opóźnienia wyłączenia, obciążenie indukcyjne
|
td ((wyłączony) |
VCC= 600V,IC=300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Twj= 25°C |
|
504 |
|
n |
| Twj= 125°C |
|
544 |
|
n |
| Twj= 150°C |
|
544 |
|
n |
|
Czas upadku, obciążenie indukcyjne
|
tf |
Twj= 25°C |
|
244 |
|
n |
| Twj= 125°C |
|
365 |
|
n |
| Twj= 150°C |
|
370 |
|
n |
|
Strata energii włączania na impuls
|
Eon |
VCC= 600V,IC=300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Twj= 25°C |
|
7.4 |
|
mJ |
| Twj= 125°C |
|
11.1 |
|
mJ |
| Twj= 150°C |
|
11.6 |
|
mJ |
|
Wyłącz utrata energii na impuls
|
Eof |
Twj= 25°C |
|
32.0 |
|
mJ |
| Twj= 125°C |
|
39.5 |
|
mJ |
| Twj= 150°C |
|
41.2 |
|
mJ |
|
Dane SC
|
ISC |
VGE≤ 15V, VCC=600V |
tp≤10 μs Twj= 150°C |
|
|
1350
|
A
|
|
IGBT opór cieplny, skrzynia łącznikowa
|
RthJC |
|
|
|
0.1 |
K / W |
|
Temperatura pracy
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Diody
Maksymalny Rated Wartości
| Pozycja |
Symbol |
Warunki |
Wartości |
Jednostka |
|
Powtórne napięcie odwrotne
|
VRRM |
|
Twj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Prąd ciągły prądu stałego
|
Ja...F |
|
300
|
A
|
|
Prąd impulsowy diody,tp ograniczony przez TJmax
|
IFpulse |
|
600 |
Charakterystyka Wartości
| Pozycja |
Symbol |
Warunki |
Wartości |
Jednostka |
| Min. |
Typowy. |
Max, proszę. |
|
Włókno przednie
|
VF |
Ja...F= 300A, VGE=0V |
Twj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Twj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Twj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Odwrotny czas odzyskania
|
trr |
Ja...F= 300A
dIF/dt=-4900A/μs (T)wj= 150°C) VR= 600 V,
VGE=-15V
|
Twj= 25°C |
|
90 |
|
n
|
| Twj= 125°C |
120 |
| Twj= 150°C |
126 |
|
Maksymalny prąd odwrotnego odzysku
|
IRRM |
Twj= 25°C |
|
212 |
|
A
|
| Twj= 125°C |
245 |
| Twj= 150°C |
250 |
|
Opłata odwrotna za odzyskanie
|
QRR |
Twj= 25°C |
|
19 |
|
μC
|
| Twj= 125°C |
27 |
| Twj= 150°C |
35 |
|
Strata energii odzysku odwrotnego na impuls
|
Erec |
Twj= 25°C |
|
7.7 |
|
mJ
|
| Twj= 125°C |
13.3 |
| Twj= 150°C |
14.0 |
|
Dioda oporu termicznego, skrzynia łącznikowa
|
RthJCD |
|
|
|
0.23
|
K / W
|
|
Temperatura pracy
|
TJop |
|
-40
|
|
150
|
°C |
Produkcja charakterystyczna (typowa) Wydajność charakterystyczny (typowy)
Ja...C= f (V)CE) IC= f (V)CE)
Twj= 150°C
IGBT
Przeniesienie charakterystyczna (typowa) Zmiana straty IGBT(typowe)
Ja...C= f (V)GE) E = f (RG)
VCE= 20 V VGE= ±15V, IC= 300A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Zmiana straty IGBT(typowy) Odwrót stronniczość bezpieczne działający Obszar (RBSOA)
E = f (IC) IC=f (V)CE)
VGE= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE= 600 V VGE= ±15V, RGoff.= 1,8Ω, Twj= 150°C
Typowe pojemność jako a) funkcja z kolektor-emiter napięcie Ładowanie bramkowe (typowe)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 300A, VCE= 600V
IGBT
IGBT przejściowe termiczne impedancja jako a) funkcja o pulsie szerokość Do przodu charakterystyczny z Diody (typowy)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Utraty przełączania Diody (typowe)straty diody (typowe)
ERec= f (RG) ERec= f (IF)
Ja...F= 300A, VCE= 600V RG= 1,8Ω, VCE= 600V
Diody przejściowe termiczne impedancja jako a) funkcja z puls szerokość
Zth(j-c) = f (t)
Moduł półmocu IGBT jest urządzeniem elektronicznym o mocy, które łączy dwa tranzystory dwubiegunowe (IGBT) ułożone w konfiguracji półmocu.Ta konfiguracja jest powszechnie stosowana w różnych zastosowaniach, w których wymagana jest dwukierunkowa kontrola mocyPoniżej przedstawiamy kilka kluczowych punktów dotyczących modułów IGBT:
1. IGBT: IGBT to urządzenia półprzewodnikowe, które łączą cechy zarówno tranzystorów o efekcie pola z izolowaną bramą (IGFET) jak i tranzystorów dwubiegunowego połączenia (BJT).Są szeroko stosowane w elektronikach mocy do przełączania i sterowania mocą elektryczną.
2. Konfiguracja półmocu: Konfiguracja półmocu składa się z dwóch IGBT połączonych szeregowo, tworząc obwód mostkowy.Jeden IGBT jest odpowiedzialny za prowadzenie podczas dodatniego pół cyklu wejściowej faliW tym układzie możliwe jest dwukierunkowe sterowanie prądem.
3. Narysowania napięcia i prądu: moduły półmocu IGBT są określone z napięciem i prądem. Na przykład powszechna nominacja może wynosić 1200V/300A,wskazujące maksymalne napięcie i prąd, które moduł może obsłużyć.
4. Aplikacje: moduły pół mostkowe IGBT mają zastosowanie w napędach silników, falownikach, źródłach zasilania i innych systemach wymagających kontrolowanego przełączania zasilania.Są odpowiednie do zastosowań, w których wymagana jest zmienna prędkości lub odwrócenie mocy.
5. Chłodzenie i zarządzanie cieplne: Podobnie jak w przypadku poszczególnych IGBT, moduły pół mostkowe IGBT wytwarzają ciepło podczas pracy.są kluczowe dla utrzymania właściwej wydajności i niezawodności urządzenia.
6. Obwody napędu bramy: Odpowiednie obwody napędu bramy są niezbędne do skutecznego sterowania przełączaniem IGBT.Obejmuje to zapewnienie, aby sygnały bramki były odpowiednio wyczasowane i miały wystarczające poziomy napięcia.
7. arkusz danych: Użytkownicy powinni zapoznać się z arkuszem danych producenta w celu uzyskania szczegółowych specyfikacji, właściwości elektrycznych,oraz wytyczne dotyczące zastosowania specyficzne dla wykorzystywanego modułu półprzewodu IGBT.
IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.
Obwód schemat nagłówek
Pakiet zarysy
Wymiary (mm)
mm
Twoja wiadomość musi mieć od 20 do 3000 znaków!
